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NXP Semiconductors
PESD5V0X1UB
Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diode
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T amb = 25 ? C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V RWM
reverse standoff
-
-
5.5
V
voltage
I RM
reverse leakage current V RWM = 5 V
-
1
100
nA
V BR
C d
breakdown voltage
diode capacitance
I R = 10 mA
f = 1 MHz; V R = 0 V
5.8
-
7.5
0.95
10
1.1
V
pF
V CL
r dyn
clamping voltage
dynamic resistance
I PP = 1.5 A
I R = 10 A
[1][2]
[3]
-
-
8
0.25
-
-
V
?
1.2
C d
(pF)
1.1
1.0
[1]
[2]
[3]
Non-repetitive current pulse 8/20 ? s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1 to 2.
Non-repetitive current pulse, Transmission Line Pulse (TLP) t p = 100 ns; square pulse;
ANS/IESD STM5-1-2008.
I
006aac511
0.9
0.8
0.7
? V CL ? V BR ? V RWM
?
+
? I RM
? I R
V
P-N
0.6
0.5
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
? I PP
f = 1 MHz; T amb = 25 ? C
V R (V)
006aaa407
Fig 3.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 4.
V-I characteristics for a unidirectional
ESD protection diode
PESD5V0X1UB
Product data sheet
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Rev. 1 — 15 February 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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